Теплопроводность в кристаллическом состоянии

 

Теплопроводность в кристаллическом состоянии

Из данных А. Эйкена, например, следует, что MgO имеет большую теплопроводность, чем Si02 и А1203, а эти окислы в свою очередь обладают более высокой теплопроводностью, чем муллит. Зависимость теплопроводности свободных от пор окислов различных элементов от химического состава, по данным Аустина, представлена Для вещества одного и того же химического состава теплопроводность в кристаллическом состоянии выше, чем в аморфном, причем это различие с повышением температуры уменьшается, например у кварца, так как теплопроводность аморфного кварца возрастает, а кристаллического снижается.

Влияние химического состава твердой фазы (каркаса) высокопористых материалов практически не сказывается на их теплопроводности. Кристаллическая или аморфная структура вещества, из которого состоят междупоровые перегородки в материале, в ряде случаев оказывает заметное влияние на теплопроводность материалов.

Пористость материала является главным фактором, определяющим его теплопроводность.

При рассмотрении влияния пористости на коэффициент теплопроводности надо учитывать зависимость от общей пористости материала, величины пор и степени замкнутости пор. Коэффициент теплопроводности пористых материалов изменяется в обратной зависимости от общей пористости их, уменьшаясь с увеличением пористости.

Зависимость коэффициента теплопроводности от пористости для теплоизоляционной керамики из трепела с добавкой древесных опилок. Теплопроводность пористых материалов зависит от размера пор: мелкопористые материалы хуже проводят тепло, чем крупнопористые.

Это объясняется уменьшением передачи тепла конвекцией и излучением в общем процессе передачи тепла в пористом материале. Мелкопористое строение должно быть у материалов, используемых для тепловой изоляции при высоких температурах, когда влияние конвекции и излучения в порах на общую теплопроводность материала сказывается наиболее сильно.

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *